Wafer晶圆无线测温系统
Wafer晶圆无线测温系统
Wafer晶圆无线测温系统可捕捉晶圆刻蚀工艺、环境对晶圆的影响,可在芯片制造的每个关键步骤中提供直接、实时的晶圆温度测量。借助这些全面的温度数据,工艺工程师可以表征和微调工艺条件,从而提高工艺设备性能、晶圆质量和产量。Wafer晶圆无线测温系统用于监测尖端产品生产工艺流程中温度变化情况,突破了技术封锁。
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  • 基本介绍
  • 主要参数
  • Wafer晶圆无线测温系统


    产品概述

    Wafer晶圆无线测温系统可捕捉晶圆刻蚀工艺、环境对晶圆的影响,可在芯片制造的每个关键步骤中提供直接、实时的晶圆温度测量。借助这些全面的温度数据,工艺工程师可以表征和微调工艺条件,从而提高工艺设备性能、晶圆质量和产量Wafer晶圆无线测温系统用于监测尖端产品生产工艺流程中温度变化情况,突破技术封锁。


    产品特点

    1. 精度高,应用灵活,采样速度快

    2. 扫描速度可达4Hz,温度准确度高达1mK

    3采用无线通讯方式。


    产品尺寸

    晶圆直径300mm(12 英寸)±0.2mm,厚度≤775μm

    供电方式

    电池

    测温范围

    5 ~ 40℃

    温度准确度

    1mK(3σ)

    重复测量准确度

    <2mK(3σ)

    传感器响应时间

    1s

    采集频率

    max.4Hz

    连续工作时间

    ≤20min

    传感器数量

    66

    通讯接口

    Wifi

    基板材料

    保修期

    1年


    Delivering Growth – in Asia and Beyond.

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