Wafer晶圆无线测温系统
Wafer晶圆无线测温系统可捕捉晶圆刻蚀工艺、环境对晶圆的影响,可在芯片制造的每个关键步骤中提供直接、实时的晶圆温度测量。借助这些全面的温度数据，工艺工程师可以表征和微调工艺条件，从而提高工艺设备性能、晶圆质量和产量。Wafer晶圆无线测温系统用于监测尖端产品生产工艺流程中温度变化情况，突破了技术封锁
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Wafer晶圆无线测温系统
产品概述
Wafer晶圆无线测温系统可捕捉晶圆刻蚀工艺、环境对晶圆的影响,可在芯片制造的每个关键步骤中提供直接、实时的晶圆温度测量。借助这些全面的温度数据，工艺工程师可以表征和微调工艺条件，从而提高工艺设备性能、晶圆质量和产量。Wafer晶圆无线测温系统用于监测尖端产品生产工艺流程中温度变化情况，突破了技术封锁
产品特点
1.精度高，应用灵活，采样速度快；
2.扫描速度可达4Hz，温度准确度高达1mK；
3.采用无线通讯方式。
尺寸 | 晶圆直径300mm（12英寸）±0.2mm 厚度≤775μm
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供电方式 | 电池 |
测温范围 | 5℃～40℃
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温度准确度 | 1mK（3σ）
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重复测量准确度 | ＜2mK（3σ）
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传感器数量 | 66 |
采集频率 | max.4Hz
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传感器响应时间 | ≤1s
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通讯接口 | WiFi
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连续工作时间 | ≤20min
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基板材料
| 硅
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保修期 | 1年 |
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沪ICP备2023002235号
